삼성전자, 20나노미터 저전력·고집적 D램 모듈 본격 양산

삼성전자가 20나노미터(nm) 공정의 4기가비트(Gb) DDR3 D램 모듈을 세계 최초로 3월부터 본격 양 산에 들어갔다고 밝혔다. 20나노 D램은 지난 2012년 삼성전

삼성전자가 20나노미터(nm) 공정의 4기가비트(Gb) DDR3 D램 모듈을 세계 최초로 3월부터 본격 양산에 들어갔다고 밝혔다.

 

 

20나노 D램은 지난 2012년 삼성전자가 처음으로 양산한 25nm D램보다 30% 이상, 30nm급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다.

 

삼성전자에 따르면 낸드플래시의 경우 정보를 저장하는 최소 단위인 셀이 트랜지스터 하나로 구성되는 단순한 구조로 미세 공정이 쉽지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층 구조로 구성되기 때문에 20nm 공정 진입에 장벽이 존재했다.

 

이에 삼성전자는 독자적인 ‘이중 포토 노광 기술’과 ‘초미세 유전막 형성 기술’을 적용해 기존 설비만으로도 20nm D램을 양산할 수 있는 체계를 마련했다고 설명했다. 나아가 기존 포토 장비로도 차세대 10nm급 D램을 양산할 수 있는 기반을 갖추게 됐다고 덧붙였다.

 

20nm DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25nm 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있다는 점에서 삼성전자는 해당 제품 양산을 통해 글로벌 IT 업체들에게 가장 높은 수준의 초절전 그린 IT 솔루션을 제공한다는 계획이다.

 

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 부사장은 “저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것”이라며 “향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것”이라고 말했다.

 

노동균 기자 [e-mail]

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