인텔, 마이크론과 손잡고 3중 셀 낸드 플래시 메모리 생산

오늘 인텔과 마이크론는 25나노 공정 기술을 바탕으로 한 3중셀(3bpc) 낸드 플래시 메모리를 생산한다고 발표했다. 이에 따라 업계 최고 용량을 갖춘 초소형 낸드 장치 생산이 가능해졌다. 두 업체는 선택을 위한 초기 제품 샘플을 생산했으며 올해 말에는 제품 양산이 가능할 것으로 기대하고 있다.

오늘 인텔과 마이크론는 25나노 공정 기술을 바탕으로 한 3중셀(3bpc) 낸드 플래시 메모리를 생산한다고 발표했다. 이에 따라 업계 최고 용량을 갖춘 초소형 낸드 장치 생산이 가능해졌다. 두 업체는 선택을 위한 초기 제품 샘플을 생산했으며 올해 말에는 제품 양산이 가능할 것으로 기대하고 있다.

25나노 메모리 장치에 신제품 64Gb 3bpc를 적용할 경우 경쟁이 치열한 USB, SD(Secure Digital) 플래시 카드 및 전자 제품 시장에 탁월한 비용 효율성과 높은 스토리지 용량을 갖춘 제품을 출시할 수 있다. 원래 플래시 메모리는 데이터, 사진 및 기타 멀티미디어를 저장하는 데 사용되는데, 이번 기술 개발을 통해 디지털 카메라, 휴대용 미디어 플레이어, 디지털 캠코더 등 모든 종류의 PC 및 관련 컴퓨팅 디지털 장치 사이에 데이터를 캡처하고 전송할 수 있게 된다. 고용량을 낮은 가격에 제공해야 한다는 시장의 요구 사항이 높아지는 시점에서 이번 기술은 좋은 해결점이 될 수 있을 것으로 기대한다.

IMFT(IM Flash Technologies) 낸드 플래시 합작 사업을 통해 설계된 64Gb 또는 8GB 25나노 리소그래피는 기존의 1비트(SLC: Single-Level Cell) 또는 2비트(MLC: Multi-Level Cell)와 비교하여 셀당 3비트의 정보를 저장 가능하다. 업계에서는 이를 3bpc를 TLC(Triple-Level Cell)라고도 칭하고 있다.

이 장치는 인텔과 마이크론이 개발한 동일한 용량의 25나노 MLC보다 크기가 20% 이상 작은데, 25나노 MLC는 현재 생산되고 있는 가장 작은 단일 8GB 장치이다. SFF(Small Form-Factor) 플래시 메모리는 고유의 컴팩트한 디자인으로 소비자 최종 제품 플래시 카드에 특히 중요하다. 다이 크기가 131 mm2로써 업계 표준 TSOP 패키지형태로 출시될 예정이다.

인텔 부사장 겸 인텔 낸드 솔루션 그룹 총 책임자인 톰 팸폰(Tom Rampone) 은 “지난 1월 25나노 기술을 업계에서 가장 작은 다이 크기를 발표한 데 이어 바로 3중 셀로 옮겨간 인텔은 이 여세를 몰아 고객에게 업계 선두의 뛰어난 제품군을 제공하고 있습니다.” 라고 말하며, “인텔은 IMFT의 뛰어난 설계 및 제조 역량을 활용하여 새로운 8GB TLC 25나노 낸드 장치를 바탕으로 한 저렴한 고밀도 제품을 고객에게 제공할 계획입니다." 라고 밝혔다.

마이크론 낸드 솔루션 그룹 부사장인 브라이언 셜리(Brian Shirley)는 “가전 제품 시장에서 낸드 메모리의 역할이 계속 커짐에 따라 25나노 분야가 빨리 TLC로 바뀌는 것은 낸드 메모리 제품 포트폴리오를 늘려가고 있는 당사에게 있어 경쟁 우위로 작용할 것이라고 생각합니다. 우리는 이미 Lexar Media 및 마이크론의 고용량 제품을 비롯하여 최종 제품 설계 내에서 8GB TLC 낸드 플래시 장치의 적합성을 테스트하는 작업을 진행하고 있습니다.”라고 발표했다.