SK하이닉스, GDDR5보다 4배 빠른 초고속 D램 선보인다

SK하이닉스가 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) 제품 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. 회사측에 따르면 이 제품은 국제 반도체공

SK하이닉스(대표 박성욱)가 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) 제품 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.

 

회사측에 따르면 이 제품은 국제 반도체공학 표준 협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램으로 1.2V 동작 전압에서 1Gbps 처리속도를 구현할 수 있어 1024개의 I/O를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

 

이는 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고 속도 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠른 수준이면서도 전력 소비는 40% 가량 낮췄다는 것이 회사측의 설명이다.

 

TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 각 칩 간의 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로, 성능은 높이면서도 패키지 크기를 줄일 수 있는 방식으로 각광받고 있다.

 

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며, 기술적 검증을 위해 AMD와 공동 개발을 진행했다. 이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달할 예정이며, HBM을 시스템온칩(SoC)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템 인 패키지(SiP) 형태로 공급한다는 계획이다.

 

홍성주 SK하이닉스 D램개발본부장은 “TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서의 주도권을 지속 확보할 것”이라고 말했다.

 

한편 SK하이닉스의 HBM 제품은 내년 하반기부터 본격 양산될 예정이며, 고사양 그래픽 시장을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에도 응용될 전망이다.

 

노동균 기자 [e-mail]

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